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温度补偿晶体振荡器

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产品名称: 温度补偿晶体振荡器
产品型号: T8
产品展商: 通信装置
产品文档: 无相关文档

简单介绍

测试设备#10-50#12.7#12.7#11.6#-40#85#-#-#15#+3.3#CMOS#-


温度补偿晶体振荡器  的详细介绍

温补晶体振荡器采用高精度温补补偿模块,生成补偿电压,使晶振温度特性指标达到10-6-10-7量级。温补晶振功耗低、体积小、集成化,不需预热时间。

温补晶体振荡器   

封装尺寸:12.7×12.7×11.6(插装系列)

产品特性:低功耗/高稳定度/一致性好/适合批量生产/可定制

主要应用:各类测试设备、通信设备、移动设备

参数

 *小值

 典型值

 *大值

 单位

测试条件

初始频率准确度

-0.5ppm/-1ppm

+0.5ppm/+1ppm

ppm

 VCC±5%VC=1.65V@ 25°C

电源频率稳定度

+0.2

-0.2

ppm

VCC±5%VC=1.65V@ 25°C

负载频率稳定度

+0.2

-0.2

ppm

CL±10%VC=1.65V@ 25°C

老化

/

-1

+1

ppm

上电老化30天后

/10

-5

+5

ppm

工作电流

10

mA

30

mA

负载

15

  30

pF

         CMOS

输出电平OL

10%VCC

V

输出电平OH

90%Vcc

V

占空比

45

55

%

上升/下降时间

5

ns

输出幅度

   5

dBm

        Sine-Wave

压控范围

  ±5

±15

ppm

        可选

相位噪声

-85

dBc/Hz

@10Hz

-110

@100Hz

-130

@1KHz

-145

@10KHz

-145

@100KHz

-148

@1MHz

 可工作温度范围

-40℃~+85

引脚功能

引脚

引脚功能

1

压控电压

4

接地

5

输出

8

电源电压

温度范围

温度稳定度

16

57

37

±1×10-6

±5×10-7

±2.8×10-7

 A

 0to+70

*

*

*

 B

 -20to+70

*

*

*

 C

 -40to+85

*

*

*

 工作电压

3.3V±5%3);5V±5%5

 输出波形

HCMOS(H);LVCMOS(L)Clipped Sine(c);Sine Wave(s)

 压控范围

NC00);±5-±10ppm(10);±9-±15(20)

 频率范围

1050MHz

DIP8  TCXO --------------------- T9

输出波形(见表2------------------L

工作电压(见表2------------------3

温度范围(见表1------------------C

温度稳定度(见表1---------------37

压控范围(见表1------------------00

频率范围(见表1--------------- -10MHz

注:以上技术规格以10MHz晶振为例。可根据客户要求,经双方协商定制产品。

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